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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IXTH36P15P

IXTH36P15P

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Numero de parte
IXTH36P15P
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET P-CH 150V 36A TO-247
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXTH36P15P.pdf
Total:$5.74000
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(En dólares estadounidenses)		 1pcs
$5.74000

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Numero de parte
IXTH36P15P
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET P-CH 150V 36A TO-247
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
150V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
36A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3100pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247 (IXTH)
Paquete / Caja
TO-247-3

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