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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IXTA24N65X2

IXTA24N65X2

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Numero de parte
IXTA24N65X2
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXTA24N65X2.pdf
Total:$3.10500
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$3.10500

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Numero de parte
IXTA24N65X2
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
24A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
145 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2060pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
390W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263AA
Paquete / Caja
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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