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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single TP0606N3-G-P002

TP0606N3-G-P002

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Numero de parte
TP0606N3-G-P002
Fabricante
Microchip Technology
Descripción
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
TP0606N3-G-P002.pdf
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Numero de parte
TP0606N3-G-P002
Fabricante
Microchip Technology
Descripción
MOSFET P-CH 60V 320MA TO92-3
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
320mA (Tj)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5 Ohm @ 750mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
150pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-92-3
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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