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NVMD4N03R2G

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Numero de parte
NVMD4N03R2G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 4A SO8FL
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$0.60260
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Numero de parte
NVMD4N03R2G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 4A SO8FL
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Característica FET
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
400pF @ 20V
Potencia - max
2W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOIC

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