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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single CSD19536KTT

CSD19536KTT

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Numero de parte
CSD19536KTT
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
CSD19536KTT.pdf
Total:$2.89504
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Numero de parte
CSD19536KTT
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
MOSFET N-CH 100V 200A TO263
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
200A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
153nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
12000pF @ 50V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
375W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
DDPAK/TO-263-3
Paquete / Caja
TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

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