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IPB70N10SL16ATMA1

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Numero de parte
IPB70N10SL16ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IPB70N10SL16ATMA1.pdf
Total:$1.51525
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Numero de parte
IPB70N10SL16ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
Estado de la pieza
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
70A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 2mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4540pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO263-3-2
Paquete / Caja
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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