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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single FDB0260N1007L

FDB0260N1007L

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Numero de parte
FDB0260N1007L
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
FDB0260N1007L.pdf
Total:$3.90951
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$3.90951

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Numero de parte
FDB0260N1007L
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
200A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.6 mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
118nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
8545pF @ 50V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
3.8W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
D²PAK (TO-263)
Paquete / Caja
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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