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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single DMT8012LFG-7

DMT8012LFG-7

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Numero de parte
DMT8012LFG-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
DMT8012LFG-7.pdf
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Numero de parte
DMT8012LFG-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
9.5A (Ta), 35A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1949pF @ 40V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.2W (Ta), 30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PowerDI3333-8
Paquete / Caja
8-PowerWDFN

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