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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single TK100L60W,VQ

TK100L60W,VQ

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Numero de parte
TK100L60W,VQ
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N CH 600V 100A TO3PL
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$31.20000
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$31.20000

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Numero de parte
TK100L60W,VQ
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N CH 600V 100A TO3PL
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
100A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.7V @ 5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
360nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
15000pF @ 30V
Característica FET
Super Junction
Disipación de potencia (max)
797W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-3P(L)
Paquete / Caja
TO-3PL

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