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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPP80N06S2H5AKSA2

IPP80N06S2H5AKSA2

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Numero de parte
IPP80N06S2H5AKSA2
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IPP80N06S2H5AKSA2.pdf
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Numero de parte
IPP80N06S2H5AKSA2
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
80A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 230µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
155nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4400pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO220-3-1
Paquete / Caja
TO-220-3

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