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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single CSD13306W

CSD13306W

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Numero de parte
CSD13306W
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
MOSFET N-CH 12V 3.5A
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
CSD13306W.pdf
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$0.19040

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Numero de parte
CSD13306W
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
MOSFET N-CH 12V 3.5A
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
3.5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
11.2nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1370pF @ 6V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1.9W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
6-DSBGA (1x1.5)
Paquete / Caja
6-UFBGA, DSBGA

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