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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos US6M11TR

US6M11TR

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Numero de parte
US6M11TR
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
US6M11TR.pdf
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Numero de parte
US6M11TR
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N and P-Channel
Característica FET
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V, 12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
1.5A, 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
1.8nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
110pF @ 10V
Potencia - max
1W
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-SMD, Flat Leads
Paquete del dispositivo del proveedor
TUMT6

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