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SI3588DV-T1-GE3

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Numero de parte
SI3588DV-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SI3588DV-T1-GE3.pdf
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Numero de parte
SI3588DV-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N and P-Channel
Característica FET
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
2.5A, 570mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
Potencia - max
830mW, 83mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete del dispositivo del proveedor
6-TSOP

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