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BQ4014MB-120

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Numero de parte
BQ4014MB-120
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
IC NVSRAM 2M PARALLEL 32DIP
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
BQ4014MB-120.pdf
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Numero de parte
BQ4014MB-120
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
IC NVSRAM 2M PARALLEL 32DIP
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo de memoria
Non-Volatile
Formato de memoria
NVSRAM
Tecnología
NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Tamaño de la memoria
2Mb (256K x 8)
Frecuencia de reloj
-
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página
120ns
Tiempo de acceso
120ns
interfaz de memoria
Parallel
Suministro de voltaje
4.75V ~ 5.5V
Temperatura de funcionamiento
0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
32-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Paquete del dispositivo del proveedor
32-DIP Module (18.42x52.96)

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