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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single FDS86140

FDS86140

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Numero de parte
FDS86140
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
FDS86140.pdf
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Numero de parte
FDS86140
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
11.2A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.8 mOhm @ 11.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2580pF @ 50V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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