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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single GP1M003A080PH

GP1M003A080PH

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Numero de parte
GP1M003A080PH
Fabricante
Global Power Technologies Group, Inc.
Descripción
MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
GP1M003A080PH
Fabricante
Global Power Technologies Group, Inc.
Descripción
MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
3A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
696pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
94W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
I-PAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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