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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single NTD4809NHT4G

NTD4809NHT4G

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Numero de parte
NTD4809NHT4G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 9A DPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
NTD4809NHT4G.pdf
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Numero de parte
NTD4809NHT4G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 9A DPAK
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
9.6A (Ta), 58A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 11.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2155pF @ 12V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1.3W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
DPAK
Paquete / Caja
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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