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DF200R12W1H3B27BOMA1

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Numero de parte
DF200R12W1H3B27BOMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
DF200R12W1H3B27BOMA1.pdf
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$51.67958

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Numero de parte
DF200R12W1H3B27BOMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
IGBT MODULE VCES 1200V 200A
Estado de la pieza
Active
Tipo IGBT
-
Configuración
2 Independent
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
1200V
Corriente - Colector (Ic) (Max)
30A
Potencia - max
375W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
1.3V @ 15V, 30A
Corriente - Corte del colector (Máx.)
1mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce
2nF @ 25V
Entrada
Standard
Termistor NTC
Yes
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Caja
Module
Paquete del dispositivo del proveedor
Module

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