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SIUD406ED-T1-GE3

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Numero de parte
SIUD406ED-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK 0806
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SIUD406ED-T1-GE3.pdf
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Numero de parte
SIUD406ED-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK 0806
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
500mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.46 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
0.6nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
17pF @ 15V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1.25W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PowerPAK® 0806
Paquete / Caja
PowerPAK® 0806

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