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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single DMG4N60SCT

DMG4N60SCT

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Numero de parte
DMG4N60SCT
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET NCH 600V 4.5A TO220
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
DMG4N60SCT.pdf
Total:$0.78840
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$0.78840

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Numero de parte
DMG4N60SCT
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET NCH 600V 4.5A TO220
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
4.5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
14.3nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
532pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
113W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3

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