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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single CSD19532Q5B

CSD19532Q5B

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Numero de parte
CSD19532Q5B
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
CSD19532Q5B.pdf
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Numero de parte
CSD19532Q5B
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
100A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.9 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4810pF @ 50V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
3.1W (Ta), 195W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-VSON-CLIP (5x6)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN

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