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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single CSD19533KCS

CSD19533KCS

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Numero de parte
CSD19533KCS
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
MOSFET N-CH 100V 86A TO220-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
CSD19533KCS.pdf
Total:$1.66000
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$1.66000

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Numero de parte
CSD19533KCS
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
MOSFET N-CH 100V 86A TO220-3
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
100A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.5 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2670pF @ 50V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
188W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3

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