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SIS776DN-T1-GE3

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Numero de parte
SIS776DN-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SIS776DN-T1-GE3.pdf
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Numero de parte
SIS776DN-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
35A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.2 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1360pF @ 15V
Característica FET
Schottky Diode (Body)
Disipación de potencia (max)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PowerPAK® 1212-8
Paquete / Caja
PowerPAK® 1212-8

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