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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single SIR878BDP-T1-RE3

SIR878BDP-T1-RE3

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Numero de parte
SIR878BDP-T1-RE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SIR878BDP-T1-RE3.pdf
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Numero de parte
SIR878BDP-T1-RE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
12A (Ta), 42.5A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.4 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1850pF @ 50V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8

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