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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single DMG9N65CT

DMG9N65CT

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Numero de parte
DMG9N65CT
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
DMG9N65CT.pdf
Total:$1.42360
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$1.42360

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Numero de parte
DMG9N65CT
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
9A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.3 Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
39nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2310pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
165W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3

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