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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPP086N10N3GHKSA1

IPP086N10N3GHKSA1

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Numero de parte
IPP086N10N3GHKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Numero de parte
IPP086N10N3GHKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
80A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.6 mOhm @ 73A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 75µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3980pF @ 50V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO220-3
Paquete / Caja
TO-220-3

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