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70T3339S200BC8

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Numero de parte
70T3339S200BC8
Fabricante
Integrated Device Technology, Inc.
Descripción
IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$127.72620
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$127.72620

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Numero de parte
70T3339S200BC8
Fabricante
Integrated Device Technology, Inc.
Descripción
IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
Estado de la pieza
Active
Tipo de memoria
Volatile
Formato de memoria
SRAM
Tecnología
SRAM - Dual Port, Synchronous
Tamaño de la memoria
9Mb (512K x 18)
Frecuencia de reloj
200MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página
-
Tiempo de acceso
3.4ns
interfaz de memoria
Parallel
Suministro de voltaje
2.4V ~ 2.6V
Temperatura de funcionamiento
0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
256-LBGA
Paquete del dispositivo del proveedor
256-CABGA (17x17)

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