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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single ZXMN2B03E6TA

ZXMN2B03E6TA

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Numero de parte
ZXMN2B03E6TA
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
ZXMN2B03E6TA.pdf
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Numero de parte
ZXMN2B03E6TA
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 20V 4.3A SOT23-6
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
4.3A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
14.5nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1160pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-23-6
Paquete / Caja
SOT-23-6

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