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K4A8G085WC-BITD

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Numero de parte
K4A8G085WC-BITD
Fabricante
Samsung Semiconductor
Descripción
8 Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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K4A8G085WC-BITD
Fabricante
Samsung Semiconductor
Descripción
8 Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production
8 Gb
1G x 8
2666 Mbps
1.2 V
-40 ~ 95 °C
78FBGA
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