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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single AOWF4N60

AOWF4N60

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Numero de parte
AOWF4N60
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción
MOSFET N-CH 600V 4A TO262F
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
AOWF4N60.pdf
Total:$0.54390
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$0.54390

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Numero de parte
AOWF4N60
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción
MOSFET N-CH 600V 4A TO262F
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
4A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.3 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
14.5nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
640pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
-
Paquete / Caja
TO-262-3 Full Pack, I²Pak

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