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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single TPN1600ANH,L1Q

TPN1600ANH,L1Q

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Numero de parte
TPN1600ANH,L1Q
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$0.21000
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Numero de parte
TPN1600ANH,L1Q
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
17A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1600pF @ 50V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
700mW (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paquete / Caja
8-PowerVDFN

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