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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single NTMFS4833NT1G

NTMFS4833NT1G

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Numero de parte
NTMFS4833NT1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
NTMFS4833NT1G.pdf
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Numero de parte
NTMFS4833NT1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
16A (Ta), 156A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
88nC @ 11.5V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
5600pF @ 12V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
910mW (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN, 5 Leads

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