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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos BSO200N03

BSO200N03

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Numero de parte
BSO200N03
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
BSO200N03.pdf
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Numero de parte
BSO200N03
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8DSO
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Característica FET
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
6.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 13µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1010pF @ 15V
Potencia - max
1.4W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-DSO-8

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