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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single TPH3206LD

TPH3206LD

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Numero de parte
TPH3206LD
Fabricante
Transphorm
Descripción
GANFET N-CH 600V 17A PQFN
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$11.40000
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(En dólares estadounidenses)		 1pcs
$11.40000

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Numero de parte
TPH3206LD
Fabricante
Transphorm
Descripción
GANFET N-CH 600V 17A PQFN
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
17A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 11A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.6V @ 500µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
9.3nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
760pF @ 480V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
96W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PQFN (8x8)
Paquete / Caja
4-PowerDFN

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