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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single NVMFS6H824NT1G

NVMFS6H824NT1G

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Numero de parte
NVMFS6H824NT1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
T8 80V SO8FL NCH STD GATE
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$0.72979
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$0.72979

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Numero de parte
NVMFS6H824NT1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
T8 80V SO8FL NCH STD GATE
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
19A (Ta), 103A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 140µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2470pF @ 40V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
3.8W (Ta), 115W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN, 5 Leads

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