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ZXMN10A08DN8TC

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Numero de parte
ZXMN10A08DN8TC
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
ZXMN10A08DN8TC.pdf
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Numero de parte
ZXMN10A08DN8TC
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Característica FET
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
1.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA (Min)
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
7.7nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
405pF @ 50V
Potencia - max
1.25W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOP

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