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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single R6046FNZ1C9

R6046FNZ1C9

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Numero de parte
R6046FNZ1C9
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 600V 46A TO247
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
R6046FNZ1C9.pdf
Total:$11.90000
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(En dólares estadounidenses)		 1pcs
$11.90000

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Numero de parte
R6046FNZ1C9
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 600V 46A TO247
Estado de la pieza
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
46A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
98 mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
6230pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
120W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247
Paquete / Caja
TO-247-3

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