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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single BSR316PH6327XTSA1

BSR316PH6327XTSA1

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Numero de parte
BSR316PH6327XTSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
BSR316PH6327XTSA1.pdf
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Numero de parte
BSR316PH6327XTSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
360mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8 Ohm @ 360mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 170µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
165pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
500mW (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-SC-59
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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