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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single FQU8P10TU

FQU8P10TU

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Numero de parte
FQU8P10TU
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
FQU8P10TU.pdf
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Numero de parte
FQU8P10TU
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
6.6A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
530 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
470pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.5W (Ta), 44W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
I-PAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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