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SI1025X-T1-E3

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Numero de parte
SI1025X-T1-E3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SI1025X-T1-E3.pdf
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Numero de parte
SI1025X-T1-E3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SOT563F
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Característica FET
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
190mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
1.7nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
23pF @ 25V
Potencia - max
250mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-563, SOT-666
Paquete del dispositivo del proveedor
SC-89-6

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