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IRL6372TRPBF

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Numero de parte
IRL6372TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IRL6372TRPBF.pdf
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Numero de parte
IRL6372TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Característica FET
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
8.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.1V @ 10µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1020pF @ 25V
Potencia - max
2W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SO

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