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NTP60N06L

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Numero de parte
NTP60N06L
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Numero de parte
NTP60N06L
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
60A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 30A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 5V
Vgs (Max)
±15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3075pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.4W (Ta), 150W (Tj)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3

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