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FDW2503N

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Numero de parte
FDW2503N
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
FDW2503N
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Característica FET
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
5.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21 mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1082pF @ 10V
Potencia - max
600mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-TSSOP

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