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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single CSD25303W1015

CSD25303W1015

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Numero de parte
CSD25303W1015
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
CSD25303W1015
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
3A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
58 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
4.3nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
435pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
6-DSBGA (1x1.5)
Paquete / Caja
6-UFBGA, DSBGA

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