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BSC0910NDIATMA1

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Numero de parte
BSC0910NDIATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
BSC0910NDIATMA1.pdf
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Numero de parte
BSC0910NDIATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica FET
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
11A, 31A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
6.6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4500pF @ 12V
Potencia - max
1W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TISON-8

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