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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPC70N04S54R6ATMA1

IPC70N04S54R6ATMA1

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Numero de parte
IPC70N04S54R6ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IPC70N04S54R6ATMA1.pdf
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Numero de parte
IPC70N04S54R6ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 40V 70A 8TDSON-34
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
70A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.4V @ 17µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
24.2nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1430pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TDSON-8-34
Paquete / Caja
8-PowerTDFN

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