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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single CSD16323Q3

CSD16323Q3

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Numero de parte
CSD16323Q3
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
CSD16323Q3.pdf
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Numero de parte
CSD16323Q3
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
MOSFET N-CH 25V 3.3X3.3 8-SON
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
21A (Ta), 60A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
3V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 24A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
8.4nC @ 4.5V
Vgs (Max)
+10V, -8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1300pF @ 12.5V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-VSON-CLIP (3.3x3.3)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN

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