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RW1A030APT2CR

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Numero de parte
RW1A030APT2CR
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Numero de parte
RW1A030APT2CR
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6
Estado de la pieza
Not For New Designs
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
3A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 4.5V
Vgs (Max)
-8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2700pF @ 6V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
6-WEMT
Paquete / Caja
SOT-563, SOT-666

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