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SF35GHA0G

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Numero de parte
SF35GHA0G
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descripción
DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SF35GHA0G.pdf
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Numero de parte
SF35GHA0G
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descripción
DIODE GEN PURP 300V 3A DO201AD
Estado de la pieza
Active
Tipo de diodo
Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.)
300V
Corriente - Promedio Rectificado (Io)
3A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si
1.3V @ 3A
Velocidad
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr)
35ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr
5µA @ 300V
Capacitancia a Vr, F
60pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
DO-201AD, Axial
Paquete del dispositivo del proveedor
DO-201AD
Temperatura de funcionamiento - Unión
-55°C ~ 150°C

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