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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Diodos - Rectificadores - Single NXPSC08650DJ

NXPSC08650DJ

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Numero de parte
NXPSC08650DJ
Fabricante
WeEn Semiconductors Co., Ltd
Descripción
DIODE SCHOTTKY 650V 8A DPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
NXPSC08650DJ.pdf
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Numero de parte
NXPSC08650DJ
Fabricante
WeEn Semiconductors Co., Ltd
Descripción
DIODE SCHOTTKY 650V 8A DPAK
Estado de la pieza
Discontinued at Digi-Key
Tipo de diodo
Silicon Carbide Schottky
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.)
650V
Corriente - Promedio Rectificado (Io)
8A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si
1.7V @ 8A
Velocidad
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr)
0ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr
230µA @ 650V
Capacitancia a Vr, F
260pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete del dispositivo del proveedor
DPAK
Temperatura de funcionamiento - Unión
175°C (Max)

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